Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
180-8032P
制造商零件编号:
SQ2318AES-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

36mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

3W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.7nC

最高工作温度

175°C

高度

1.12mm

标准/认证

No

长度

3.04mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装 N 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，漏 - 源电压为 40V ，最大栅 - 源电压为 20V。在 10V 的栅极源电压下，漏极 - 源电阻为 31mohm。它的最大功耗为 3 W ，连续漏极电流为 8 A。此 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。它适用于便携式设备的负载开关。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势


• 无卤素

•无铅 (Pb)

•工作温度范围 -55°C 至 175°C

• TrenchFET 功率 MOSFET

认证


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

•经过 RG 测试

• UIS 测试

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