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|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB12.538 | RMB62.69 |
| 15 - 20 | RMB12.16 | RMB60.80 |
| 25 + | RMB11.792 | RMB58.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8656
- 制造商零件编号:
- IRFBC40APBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， TO-220-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 600V ，最大栅极源电压为 30V。它在栅极源电压为 10V 时具有 1.20mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 125W。 该产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•指定有效余弦
•完全特征化的电容和雪崩电压和电流
•改进的栅极，雪崩和动态 dV/dt
•无铅 (Pb) 组件
•低栅极电荷 Qg 可实现简单的驱动要求
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•完全特征化的电容和雪崩电压和电流
•改进的栅极，雪崩和动态 dV/dt
•无铅 (Pb) 组件
•低栅极电荷 Qg 可实现简单的驱动要求
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
应用
•高速功率切换
•开关模式电源 (SMPS)
• UPS（不间断电源）
•开关模式电源 (SMPS)
• UPS（不间断电源）