Vishay P型沟道MOSFET, Vds=400 V, Id=1.8 A, 3针, TO-252

RS 库存编号:: 180-8772
制造商零件编号:: IRFR9310PBF
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道MOSFET, Vds=400 V, Id=1.8 A, 3针, TO-252

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制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	1.8A
	最大漏源电压 Vd	400V
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面, 通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	7Ω
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	50W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	13nC
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	单
	标准/认证	RoHS-compliant
	长度	9.65mm
	每片芯片元件数目	1
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 1.8A
	最大漏源电压 Vd 400V
	包装类型 TO-252
	安装类型表面, 通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 7Ω
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 50W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置单
	标准/认证 RoHS-compliant
	长度 9.65mm
	每片芯片元件数目 1
	汽车标准否

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET，400V 漏源电压，50W 功耗 - IRFR9310PBF

这款MOSFET是一款P沟道晶体管，专为电力电子电路中的高压开关应用而设计。它采用TO-252封装，适用于表面贴装或通孔组装，在需要P型器件的高压应用中提供一种紧凑的解决方案。该器件可在宽温度范围内运行，并符合RoHS环保标准。

特性和优点：

• 漏源电压高达400V，具备高压开关能力
• 7Ω 最大导通电阻，用于限制低电流设计的导通损耗
• 典型栅极电荷为13nC，可实现快速栅极驱动转换
• 1.8A连续漏极电流，可满足中等电流需求
• 50W最大功耗，支持功率级热裕量
• 工作温度范围为-55至150°C，适用于高温环境部署

应用

• 适用于高压极性保护电路
• 适用于电源的P沟道高边开关
• 用于需要低栅极电荷器件的栅极驱动器
• 可用于高温运行的工业控制电子设备
• 适用于表面贴装和通孔元件混合组装的电路板

有哪些安装方式可用于将组件固定到 PCB 上？

该器件同时支持表面贴装和通孔插装两种安装方式，以适应不同的电路板组装工艺。

该设备在高环境温度下的性能如何?

其额定工作温度高达150°C，在采取适当热管理措施的前提下，可用于承受高热应力的设计。

设计过程中需要考虑哪些栅极驱动电压限制？

最大栅源电压为±20V，因此，栅极驱动电路必须将摆幅限制在此范围内。

该器件是由单个芯片上的多个元件组成的吗？

每个芯片仅包含一个晶体管元件，这简化了并联布置中的均流考量。