DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 1 A, X2-DFN, 表面安装, 3引脚, DMN系列
- RS 库存编号:
- 182-6891
- 制造商零件编号:
- DMN2450UFB4-7R
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥1,002.00
(不含税)
¥1,131.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月03日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.334 | RMB1,002.00 |
| 6000 - 9000 | RMB0.324 | RMB972.00 |
| 12000 + | RMB0.314 | RMB942.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 182-6891
- 制造商零件编号:
- DMN2450UFB4-7R
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | DMN | |
| 包装类型 | X2-DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 700mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 900mW | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 0.65 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 DMN | ||
包装类型 X2-DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 700mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 900mW | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.3nC | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.35mm | ||
长度 1.05mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 0.65 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此新一代 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
印迹仅为 0.6mm2
- 比 SOT23 小 13 倍
0.4mm 薄型 — 特别适合薄型应用
低栅极阈值电压
快速切换速度
ESD 保护门
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
负载开关