DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=8 A, 4针, SOT-223, DMN系列

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包装方式：
RS 库存编号:
182-7095
制造商零件编号:
DMN6069SE-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-223

系列

DMN

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

11W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

高度

1.65mm

标准/认证

No

宽度

3.55mm

长度

6.55mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
此新一代 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。

应用

电动机控制

变压器驱动开关

直流 - 直流转换器

电源管理功能

不间断电源

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