DiodesZetex , 2 N型沟道 双 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 33.2 A, PowerDI5060, 表面安装, 8引脚, DMTH6016LPD-13
- RS 库存编号:
- 182-7321
- 制造商零件编号:
- DMTH6016LPD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 182-7321
- 制造商零件编号:
- DMTH6016LPD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerDI5060 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 28mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 37.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| 最低工作温度 | 175°C | |
| 正向电压 Vf | 0.7V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 宽度 | 4.95 mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 长度 | 5.85mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 33.2A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerDI5060 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 28mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 37.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.4nC | ||
最低工作温度 175°C | ||
正向电压 Vf 0.7V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 -55°C | ||
宽度 4.95 mm | ||
高度 1.05mm | ||
长度 5.85mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））但保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
额定温度值为 +175°C — 特别适用于高环境温度
环境
高转换率
低输入电容
快速切换速度
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
发动机管理系统
车身控制电子装置
直流-直流转换器