制造商编号

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=46.3 A, 4针, TO-252, DMT系列

RS 库存编号:: 182-7372
制造商零件编号:: DMTH10H025SK3-13
制造商:: DiodesZetex

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=46.3 A, 4针, TO-252, DMT系列

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RS 库存编号:: 182-7372
制造商零件编号:: DMTH10H025SK3-13
制造商:: DiodesZetex

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	DiodesZetex
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	46.3A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-252
	系列	DMT
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	30mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	21.4nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	3.7W
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	宽度	6.2mm
	标准/认证	No
	长度	6.7mm
	高度	2.26mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 DiodesZetex
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 46.3A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-252
	系列 DMT
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 30mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21.4nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 3.7W
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	宽度 6.2mm
	标准/认证 No
	长度 6.7mm
	高度 2.26mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet DMTH10H025SK3-13

COO (Country of Origin):: CN

此新一代 MOSFET 具有低接通电阻和快速切换的特性，使其特别适用于高效率电源管理应用。

100% 非钳制电感切换 - 可确保更可靠

和坚固的端应用

低 RDS（接通）- 可最大程度减少功率损耗

低 QG - 可最大程度减少切换损耗

无铅表面

无卤素和无锑。“绿色”设备

应用

电源管理功能

直流 - 直流转换器

背光

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