DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=59 A, 3针, TO-252

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包装方式：
RS 库存编号:
246-7561
制造商零件编号:
DMTH10H015SK3-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

59A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.014Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

8V

最大功耗 Pd

1.73W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

6.1mm

长度

6.58mm

高度

2.29mm

汽车标准

AEC-Q101

DiodesZetex 是 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 TO252 封装。它提供快速切换和高效率。额定值为 +175°C，特别适用于高环境温度环境。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。

最大排放到源电压为 100 V，最大门到源电压为 ±20 V。其低 RDS（接通）有助于最大程度地减少功率损耗。其低 Qg 有助于最大程度地减少切换损耗

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