onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2.4 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 184-1067
- 制造商零件编号:
- NTR4170NT1G
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 110mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 480mW | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.76nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 110mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 480mW | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.76nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.01mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这是一个 30 V N 通道功率 MOSFET 。
低 RDS （接通）可将传导损耗降至最低
低栅极电荷
低阈值级别
应用：
便携式电源转换器
电池管理
负载 / 电源开关