onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 533 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NVMTS0D6N04CTXG, NVMTS0D6N04C系列

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186-1425
制造商零件编号:
NVMTS0D6N04CTXG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

533A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

DFN

系列

NVMTS0D6N04C

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

480μΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

245W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

187nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

长度

8.1mm

高度

1.15mm

标准/认证

No

宽度

8 mm

汽车标准

AEC-Q101

不符合

汽车功率 MOSFET 采用 8x8mm 扁平引线封装,设计紧凑高效,具有高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。支持 MOSFET 和 PPAP,适用于汽车应用。

体积小( 8 x 8 毫米)

低 RDS(接通)

低 QG 和电容

可润侧翼选件

支持 PPAP

紧凑设计

最大限度地减少传导损耗

最大限度地减少驱动器损耗

增强型光学检验

应用

反向器电池保护

切换电源

电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)

最终产品

电动机控制 - EPS 、雨刷、风扇、座椅等

负载开关 - ECU 、底盘、车身