onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=533 A, 8针, DFN, NTMTS0D6N04C系列

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RS 库存编号:
186-1277
制造商零件编号:
NTMTS0D6N04CTXG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

533A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

NTMTS0D6N04C

包装类型

DFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

480μΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

187nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

245W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

8.1mm

宽度

8mm

高度

1.15mm

汽车标准

否

不符合

体积小（ 8 x 8 毫米），设计紧凑

低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗

低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗

这些设备无铅、无卤素/无 BFR

典型应用

电动工具、电池操作的真空装置

UAV/DRONES ，材料处理

BMS/ 存储、家庭自动化

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