onsemi N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, TO-263, 表面安装, 3引脚

RS 库存编号:: 186-1500P
制造商零件编号:: NTB110N65S3HF
制造商:: onsemi

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制造商:: onsemi

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	30A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	110mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	62nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	240W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	高度	4.58mm
	长度	10.67mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 30A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 110mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 62nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 240W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	高度 4.58mm
	长度 10.67mm
	汽车标准否

Datasheet NTB110N65S3HF

SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此， SUPERFET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET 经过优化的主体二极管反向恢复性能，可消除额外的元件并提高系统可靠性。

TJ = 150 °C 时为 700 V

超低栅极电荷（典型值 QG = 62 常闭）

低有效输出电容（典型值 Coss （有效） = 522 pF ）

极佳的主体二极管性能（低 Qrr、坚固的主体二极管）

优化的电容

典型值 RDS （开） = 98 mΩ

低温运行时系统可靠性更高

低切换损耗

在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性

更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡

服务器电源

EV 充电器

太阳能/UPS

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