onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 1.3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, NTR1P02LT1G
- RS 库存编号:
- 186-8957
- 制造商零件编号:
- NTR1P02LT1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8957
- 制造商零件编号:
- NTR1P02LT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 350mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 400mW | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.3A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 350mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 400mW | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.1nC | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.01mm | ||
长度 3.04mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
这些微型表面安装 MOSFET 低 RDS (on) 可确保最小的功率损耗和节能，使这些器件成为空间敏感电源管理电路的理想选择。这些 P 通道小型信号 MOSFET 的典型应用包括直流 - 直流转换器和便携式和电池供电产品（例如计算机、打印机、 PCMCIA 卡、蜂窝和无绳电话）的电源管理。
低 RDS (on) 提供更高的效率并延长电池寿命
微型 SOT-23 表面安装封装节省了板级空间
最终产品
计算机
打印机
PCMCIA 卡
移动电话和无绳电话
应用
dcdc 转换器
便携式和电池供电产品中的电源管理