onsemi N沟道MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=100 V, Id=1 A, 6针, TSOT-23

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包装方式：
RS 库存编号:
186-8997
制造商零件编号:
FDC3601N
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

1A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TSOT-23

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

550mΩ

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.7nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

0.96W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

晶体管配置

双

长度

3.1mm

标准/认证

No

宽度

3mm

高度

1mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

这些 N 通道 100V 指定 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大程度地降低电阻，同时保持低栅电荷，从而提供卓越的开关性能。这些器件的设计旨在为那些价格较高的 SO-8 和 TSSOP-8 封装不实用的应用提供超凡的功耗。

1.0 A ， 100 V

RDS (on) =500M Ω @VGS =10V

RDS (on) =550 M Ω @VGS =6 V

低栅电荷（典型 3.7NC ）

快速切换速度

高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)

SuperSOT ™ -6 封装：体积小 72% （小于标准 SO-8 封装），薄型（ 1mm 厚）

应用

该产品可通用，适用于许多不同的应用。

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