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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB4.788 | RMB14,364.00 |
| 6000 - 27000 | RMB4.692 | RMB14,076.00 |
| 30000 + | RMB4.598 | RMB13,794.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7149
- 制造商零件编号:
- FDC8601
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 包装类型 | TSOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管极性 | N-通道 | |
| 最大功耗 Pd | 1.6W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 宽度 | 1.7 mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 套件 | ||
包装类型 TSOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管极性 N-通道 | ||
最大功耗 Pd 1.6W | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 6 | ||
宽度 1.7 mm | ||
长度 3mm | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
此 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench ® 工艺制造，该工艺已针对 RDS (on) 、开关性能和坚固性进行了优化。
最大 RDS (on) =109 Ω ， VGS =10 V ， ID =2.7 A
最大 RDS (on) =176 M Ω ， VGS = 6V ， ID = 2.1 A
高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)
高功率和电流处理能力，采用广泛使用的表面安装封装
快速切换速度
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。