制造商编号

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=35 A, 8针, PowerPAK 1212, SiSH101DN系列

RS 库存编号:: 188-4892
制造商零件编号:: SiSH101DN-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=35 A, 8针, PowerPAK 1212, SiSH101DN系列

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RS 库存编号:: 188-4892
制造商零件编号:: SiSH101DN-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	35A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	SiSH101DN
	包装类型	PowerPAK 1212
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	13mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	25V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	68nC
	正向电压 Vf	-1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	52W
	最高工作温度	150°C
	长度	3.3mm
	宽度	3.3mm
	标准/认证	No
	高度	0.93mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 35A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 SiSH101DN
	包装类型 PowerPAK 1212
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 13mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 25V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68nC
	正向电压 Vf -1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 52W
	最高工作温度 150°C
	长度 3.3mm
	宽度 3.3mm
	标准/认证 No
	高度 0.93mm
	汽车标准否

Datasheet SiSH101DN-T1-GE3

P 通道 30V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET® 功率 MOSFET

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