Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 34.4 A, 1212-8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 279-9984
- 制造商零件编号:
- SISH107DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB4.925 | RMB49.25 |
| 50 - 90 | RMB3.663 | RMB36.63 |
| 100 - 240 | RMB3.255 | RMB32.55 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9984
- 制造商零件编号:
- SISH107DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 34.4 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | 1212-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 34.4 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 1212-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Vishay MOSFET 是 P 通道 MOSFET,其中的晶体管由称为硅的材料制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
完全无铅 (Pb) 的器件
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
完全无铅 (Pb) 的器件
