STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=40 A, 8针, PowerFLAT, STripFET系列
- RS 库存编号:
- 188-8293
- 制造商零件编号:
- STL40DN3LLH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 188-8293
- 制造商零件编号:
- STL40DN3LLH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | STripFET | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 25mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 长度 | 6.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 STripFET | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 25mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 0.95mm | ||
宽度 5.1mm | ||
长度 6.2mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
该器件是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用意法半导体的 STripFET™ H5 技术开发而成。该器件经过优化，导通电阻极低，因而在同类产品中具有最佳的 FoM。
低导通电阻
雪崩强度高
栅极驱动功率损耗低
可湿性包边
应用
开关应用
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