onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=250 A, 8针, LFPAK, NTMJS1D6N06CL系列

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包装方式：
RS 库存编号:
189-0312
制造商零件编号:
NTMJS1D6N06CLTWG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

250A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

LFPAK

系列

NTMJS1D6N06CL

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

167W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

91nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

长度

5mm

高度

1.2mm

标准/认证

No

宽度

4.9mm

汽车标准

否

体积小巧 (5 x 6 mm)，可实现紧凑设计

低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗

低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗

LFPAK8 封装、工业标准

这些器件都是无铅的

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