onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 36 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, NTP095N65S3HF
- RS 库存编号:
- 195-2516
- 制造商零件编号:
- NTP095N65S3HF
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥224.21
(不含税)
¥253.355
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 785 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB44.842 | RMB224.21 |
| 15 - 20 | RMB43.494 | RMB217.47 |
| 25 + | RMB42.192 | RMB210.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 195-2516
- 制造商零件编号:
- NTP095N65S3HF
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 95mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 66nC | |
| 最大功耗 Pd | 272W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 36A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 95mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 66nC | ||
最大功耗 Pd 272W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.7 mm | ||
高度 9.4mm | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 否 | ||
SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和更高的效率。SuperFET III FRFET® MOSFET 中主体二极管的反向恢复性能经过优化设计，无需额外器件，并能提高系统可靠性。