onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 27 A, LFPAK, 表面安装, 4引脚, NTMYS021N06CLTWG, NTMYS021N06CL系列

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RS 库存编号:
195-2535
制造商零件编号:
NTMYS021N06CLTWG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

27A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

LFPAK

系列

NTMYS021N06CL

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

31.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

28W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

5mm

宽度

4.25 mm

高度

1.15mm

汽车标准

工业功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。

体积小巧 (5 x 6 mm),可实现紧凑设计

低 RDS(接通),可最大限度地减少传导损耗

低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗

LFPAK4 封装、工业标准

这些设备无铅