STMicroelectronics N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=1200 V, 33 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCTW40N120G2VAG, SCT系列

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包装方式:
RS 库存编号:
202-5490
制造商零件编号:
SCTW40N120G2VAG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

33A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

SCT

包装类型

Hip-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.105Ω

通道模式

消耗

最大栅源电压 Vgs

22 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

3.4V

最大功耗 Pd

290W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

最高工作温度

200°C

高度

34.95mm

宽度

5.15 mm

标准/认证

No

长度

15.75mm

汽车标准

STMicroelectronics 硬质合金功率 mosfet 使用 st 的 Advanced 和创新的 2nd generation sic mosfet 技术开发而成。该设备的每个装置区域具有非常低的接通电阻和非常好的切换性能。

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