onsemi P型沟道耗尽型MOSFET, Vds=30 V, Id=96 A, 8针, PQFN, NTTF系列

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包装方式：
RS 库存编号:
202-5723
制造商零件编号:
NTTFS008P03P8Z
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

96A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PQFN

系列

NTTF

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.8mΩ

通道模式

耗尽

最大功耗 Pd

50W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

134nC

最大栅源电压 Vgs

25V

最高工作温度

150°C

高度

3.4mm

长度

3.4mm

标准/认证

No

宽度

800μm

汽车标准

否

on ON Semiconductor 单 p 沟道 mosfet 在 -30 伏和 -96 安培的电压下运行。它可用于电源负载开关、反向电流保护、过电压和反向负电压、电池管理应用。

节省空间

极佳的热传导

无铅

无卤素

符合 RoHS

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