STMicroelectronics N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 12 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, M6系列
- RS 库存编号:
- 203-3430
- 制造商零件编号:
- STD16N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商零件编号:
- STD16N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | M6 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 320mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.4 mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 10.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 M6 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 320mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.7nC | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.4 mm | ||
长度 6.6mm | ||
高度 10.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics mdmesh M6 功率 mosfet 包含最新的 sj mosfet 产品系列、经过整合、知名的 mmesh 系列产品。STMicroelectronics M6 制造的上一代 mdmesh 设备。这将极佳的 rds （接通）每个区域改进与其中一种最有效的切换行为结合在一起、同时还具有用户友好型体验、可实现最大的终端应用效率。
减少切换损耗
低栅极输入电阻
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护