STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET, Vds=480 V, Id=10 A, 3针, TO-252, STD系列

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包装方式：
RS 库存编号:
202-4809
制造商零件编号:
STD13N60M6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10A

最大漏源电压 Vd

480V

系列

STD

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

380mΩ

通道模式

耗尽

最大栅源电压 Vgs

25V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

92W

最高工作温度

175°C

高度

10.1mm

宽度

2.4mm

标准/认证

No

长度

6.6mm

汽车标准

否

STMicroelectronics mmesh M6 功率 mosfet 、采用 dak 封装、可减少开关损耗。与上一代相比、它还具有更低的每区域 rds （接通）。

通过 100% 雪崩测试

提供齐纳保护

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