onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 131 A, DFN, 表面安装, 5引脚, NTMFS3D6N10MCLT1G, NTMFS系列

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制造商零件编号:
NTMFS3D6N10MCLT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

131A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

NTMFS

包装类型

DFN

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

3.6mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

60nC

最大功耗 Pd

136W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

长度

6mm

宽度

5 mm

标准/认证

No

高度

0.9mm

汽车标准

on ON Semiconductor power 单 n 沟道 mosfet 的漏极到源电压额定值为 100V 、连续漏极电流额定值为 131A 。此设备无铅、无卤素 / 无 bfr 且符合 rohs 标准。

漏极到电源接通电阻为 3.6 m m m m m m

低 rds (接通)可最大程度减少传导损耗

低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗

直流 - 直流和交流 - 直流同步整流器

小尺寸( 5mm x 6mm )、采用紧凑型设计

电动机驱动器