DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=10 A, 8针, SO-8, DMT616系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 25 件）*

RMB80.88

(不含税)

RMB91.40

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,125 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
25 - 600RMB3.235RMB80.88
625 - 1225RMB3.138RMB78.45
1250 +RMB3.044RMB76.10

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
206-0157
制造商零件编号:
DMT616MLSS-13
制造商:
DiodesZetex
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

DiodesZetex

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

DMT616

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

21mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

1.39W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.6nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

高度

1.4mm

宽度

4.85mm

标准/认证

No

长度

5.9mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex 60V 、 8 引脚 n 通道增强模式 mosfet 设计用于最大程度降低通态电阻、同时保持卓越的切换性能、使其特别适用于高效电源管理应用。其栅 - 源电压为 20V 、热功耗为 1.39 w 。

快速切换速度

低输入电容

相关链接