Texas Instruments P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 76 A, VSONP, 表面安装, 8引脚, NexFET系列
- RS 库存编号:
- 208-8491
- 制造商零件编号:
- CSD25402Q3A
- 制造商:
- Texas Instruments
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 2500 件）*
RMB7,380.00
(不含税)
RMB8,340.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 2,500 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | RMB2.952 | RMB7,380.00 |
| 12500 + | RMB2.893 | RMB7,232.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 208-8491
- 制造商零件编号:
- CSD25402Q3A
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 76A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | NexFET | |
| 包装类型 | VSONP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| 正向电压 Vf | -1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.25mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 76A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 NexFET | ||
包装类型 VSONP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.5nC | ||
正向电压 Vf -1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.25mm | ||
高度 0.9mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
-
-
相关链接
- Texas Instruments P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 76 A, VSONP, 表面安装, 8引脚, CSD25402Q3A, NexFET系列
- Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3 A, VSONP, 表面安装, 8引脚, NexFET系列
- Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=16 V, 100 A, VSONP, 表面安装, 8引脚, NexFET系列
- Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 100 A, VSONP, 表面安装, 8引脚, NexFET系列
- Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 12 A, VSONP, 表面安装, 8引脚, NexFET系列
- Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 50 A, VSONP, 表面安装, 8引脚, NexFET系列
- Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3 A, VSONP, 表面安装, 8引脚, CSD17484F4, NexFET系列
- Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3 A, VSONP, 表面安装, 8引脚, CSD17575Q3, NexFET系列