Texas Instruments P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=76 A, 8针, VSONP, NexFET系列

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RS 库存编号:
208-8492
制造商零件编号:
CSD25402Q3A
制造商:
Texas Instruments
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品牌

Texas Instruments

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

76A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

NexFET

包装类型

VSONP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

8.9mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

12V

正向电压 Vf

-1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.5nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

69W

最高工作温度

150°C

宽度

3.1mm

长度

3.25mm

高度

900μm

标准/认证

No

汽车标准

否

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