Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=15 A, 3针, TO-220, E系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 管，共 50 件）*

RMB614.45

(不含税)

RMB694.35

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 600 个，准备发货

单位
每单位
Per Tube*
50 - 50RMB12.289RMB614.45
100 - 450RMB12.043RMB602.15
500 +RMB11.803RMB590.15

* 参考价格

RS 库存编号:
210-4993
制造商零件编号:
SIHP17N80AE-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

15A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

E

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

250mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

179W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

41nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

宽度

9.96mm

标准/认证

No

长度

14.69mm

高度

4.24mm

汽车标准

否

Vishay e 系列功率 mosfet 采用 220AB 封装类型、漏极电流为 15 a 。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容（ co （ er ））

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级（ uis ）

相关链接