Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 175 A, PowerPAK SO-8L, 贴片安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 210-5032
- 制造商零件编号:
- SQJ142ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 210-5032
- 制造商零件编号:
- SQJ142ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 175 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0022 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2 → 2.2V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 175 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 PowerPAK SO-8L | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 0.0022 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.2 → 2.2V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay 汽车 n 沟道 40 v （ d-s ） 175 °c mosfet 采用 powerpak so-215v 8L 封装类型、带 175 a 漏极电流。
trench场 效应第四代功率 mosfet
符合 AEC-Q101
经过 100% rg 和 uis 测试
符合 AEC-Q101
经过 100% rg 和 uis 测试