Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=30 A, 4针, SO-8, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
210-5049
制造商零件编号:
SQJ912DEP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

5.9mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

27W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

正向电压 Vf

0.79V

最高工作温度

175°C

晶体管配置

双

高度

1.07mm

长度

4.9mm

宽度

4.37mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

Vishay 汽车双 n 通道 40 v （ d-s ） 175 °c mosfet 采用 powerpak so-215v 8L 封装类型。

TrenchFET® 功率 MOSFET

符合 AEC-Q101

经过 100% rg 和 uis 测试

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