STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=119 A, 4针, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4系列

RS 库存编号:: 213-3945
制造商零件编号:: SCTWA90N65G2V-4
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=119 A, 4针, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4系列

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产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	119A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	SCTWA90N65G2V-4
	包装类型	Hip-247
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	24mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	157nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	656W
	最大栅源电压 Vgs	22V
	正向电压 Vf	2.5V
	最高工作温度	200°C
	标准/认证	No
	宽度	21.1mm
	高度	5.1mm
	长度	15.9mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 119A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 SCTWA90N65G2V-4
	包装类型 Hip-247
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 24mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 157nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 656W
	最大栅源电压 Vgs 22V
	正向电压 Vf 2.5V
	最高工作温度 200°C
	标准/认证 No
	宽度 21.1mm
	高度 5.1mm
	长度 15.9mm
	汽车标准否

Datasheet - SCTWA90N65G2V-4

意法半导体的 SCTWA90N65G2V-4 碳化硅功率 MOSFET 器件采用先进的创新型第二代 SiC MOSFET 技术开发而成，单位面积导通电阻极低，开关性能极佳。

高速开关性能

极高的工作结温能力

速度极快、坚固耐用的本征体二极管

极低的栅极电荷和输入电容

源传感引脚，提高效率

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=119 A, 4针, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4系列

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