DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 60 A, PowerDI3333, 表面安装, 8引脚, DMT35M4LFVW系列
- RS 库存编号:
- 213-9205
- 制造商零件编号:
- DMT35M4LFVW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥2,936.00
(不含税)
¥3,318.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | RMB1.468 | RMB2,936.00 |
| 4000 - 6000 | RMB1.438 | RMB2,876.00 |
| 8000 + | RMB1.395 | RMB2,790.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 213-9205
- 制造商零件编号:
- DMT35M4LFVW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerDI3333 | |
| 系列 | DMT35M4LFVW | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 2.2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerDI3333 | ||
系列 DMT35M4LFVW | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 2.2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.1nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.85mm | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.4 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMT35M4LFVW 系列是 n 沟道 mosfet 、设计用于有效减少通态电阻、保持卓越的切换性能、特别适用于高效电源管理应用。
100% 非钳制电感切换
生产测试–确保端部更可靠、更坚固 应用程序