DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=31.8 A, 8针, PowerDI3333, DMT系列

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RS 库存编号:
222-2876
制造商零件编号:
DMT6015LFVW-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

31.8A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

DMT

包装类型

PowerDI3333

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

16mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

10V

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15.7nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

28.4W

最高工作温度

150°C

高度

3.3mm

标准/认证

No

长度

3.05mm

宽度

800μm

汽车标准

否

DiodesZetex n 通道增强模式 mosfet 设计用于有效减少通态电阻( rds (接通)

低接通电阻

外形小巧、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品

可润侧翼、用于改进光学检验

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