制造商编号

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=46.2 A, 8针, PowerDI5060, DMTH4008LPDW系列

RS 库存编号:: 213-9244
制造商零件编号:: DMTH4008LPDW-13
制造商:: DiodesZetex

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=46.2 A, 8针, PowerDI5060, DMTH4008LPDW系列

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RS 库存编号:: 213-9244
制造商零件编号:: DMTH4008LPDW-13
制造商:: DiodesZetex

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	DiodesZetex
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	46.2A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	DMTH4008LPDW
	包装类型	PowerDI5060
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0123Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	5.8nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	39.4W
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	双
	宽度	6.4mm
	高度	1.1mm
	长度	5.15mm
	标准/认证	J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202
	每片芯片元件数目	1
	汽车标准	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	选择全部
	品牌 DiodesZetex
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 46.2A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 DMTH4008LPDW
	包装类型 PowerDI5060
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0123Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.8nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 39.4W
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置双
	宽度 6.4mm
	高度 1.1mm
	长度 5.15mm
	标准/认证 J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202
	每片芯片元件数目 1
	汽车标准 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Datasheet - DMTH4008LPDW-13

DiodesZetex DMTH4008LPDW 系列是双 n 沟道 mosfet 、设计用于有效减少通态电阻、保持卓越的切换性能、特别适用于高效电源管理应用。

低输入电容

快速切换速度

DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=46.2 A, 8针, PowerDI5060, DMTH4008LPDW系列

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