Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 40 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, BSZ110N08NS5ATMA1, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 214-4345
- 制造商零件编号:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥109.16
(不含税)
¥123.36
(含税)
有库存
- 13,700 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 1240 | RMB5.458 | RMB109.16 |
| 1260 - 2480 | RMB5.294 | RMB105.88 |
| 2500 + | RMB5.136 | RMB102.72 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4345
- 制造商零件编号:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 11mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.4 mm | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
600V cool mos P7 超结 mosfet 在设计过程中继续平衡对高效率的需求和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg) 确保了其高效率。
它具有坚固的主体二极管
集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度