制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=40 A, 8针, PQFN, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 214-4345
制造商零件编号:: BSZ110N08NS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=40 A, 8针, PQFN, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:: 214-4345
制造商零件编号:: BSZ110N08NS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	PQFN
	系列	OptiMOS 5
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	11mΩ
	通道模式	N
	最大功耗 Pd	50W
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	15nC
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.4mm
	标准/认证	No
	长度	3.4mm
	高度	1.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 PQFN
	系列 OptiMOS 5
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 11mΩ
	通道模式 N
	最大功耗 Pd 50W
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.4mm
	标准/认证 No
	长度 3.4mm
	高度 1.1mm
	汽车标准否

Datasheet - BSZ110N08NS5ATMA1

600V cool mos P7 超结 mosfet 在设计过程中继续平衡对高效率的需求和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg) 确保了其高效率。

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