Infineon N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=11 A, 3针, TO-220, 800V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 214-4356
- 制造商零件编号:
- IPA80R450P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4356
- 制造商零件编号:
- IPA80R450P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | 800V CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 450mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 正向电压 Vf | 900mV | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最大功耗 Pd | 29W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 16.15mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.68mm | |
| 高度 | 4.85mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 800V CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 450mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
正向电压 Vf 900mV | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最大功耗 Pd 29W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 16.15mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.68mm | ||
高度 4.85mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 800V CoolMOS P7 系列 MOSFET，800V 漏源电压，11A 连续漏极电流 - IPA80R450P7XKSA1
该 MOSFET 是一款高压 N 通道开关设备，专为功率转换和工业应用而设计。它可在宽环境范围内运行，专为传统电源组件中的通孔安装而设计，在需要高电压处理和中等电流能力的环境中提供稳健选择。
特性和优点：
• 800V漏源额定电压，支持高压开关应用
• 11A 连续漏极电流支持大负载电流
• 450mΩ RDS(on) 可最大限度减少功率级的传导损耗
• 24nC 典型栅极电荷，可实现高效开关性能
• 29W 最大功耗可应对高热应力
• 30V 栅极耐压，支持灵活的栅极驱动振幅
• 11A 连续漏极电流支持大负载电流
• 450mΩ RDS(on) 可最大限度减少功率级的传导损耗
• 24nC 典型栅极电荷，可实现高效开关性能
• 29W 最大功耗可应对高热应力
• 30V 栅极耐压，支持灵活的栅极驱动振幅
应用
• 适用于高压电源和转换器
• 适用于工业电机驱动前端
• 用于能源领域的开关模式电源系统
• 可用于升压电路中的线路侧开关
• 适用于实验室和原型制作通孔组装
• 适用于工业电机驱动前端
• 用于能源领域的开关模式电源系统
• 可用于升压电路中的线路侧开关
• 适用于实验室和原型制作通孔组装
它能在什么温度范围内稳定运行？
该设备的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，支持在低温和高温环境中运行。
它是如何封装以进行安装和冷却的？
它采用 TO-220 封装，专为通孔安装而设计，可连接到散热器或底座以进行热管理。
需要注意哪些栅极驱动因素？
最大栅源电压为 30V，典型总栅极电荷为 24nC，因此驱动器选择应平衡电压余量和驱动强度，以达到所需的开关速度。
其传导电阻对设计有何影响？
最大漏源导通电阻为 450mΩ，设计人员应考虑预期电流下的传导损耗以及相应的散热片尺寸。
相关链接
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