Infineon N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=11 A, 3针, TO-220, 800V CoolMOS P7系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-4357
制造商零件编号:
IPA80R450P7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

800V CoolMOS P7

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

450mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

29W

正向电压 Vf

0.9V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

10.68mm

高度

4.85mm

宽度

16.15mm

汽车标准

否

Infineon 800V cool mos P7 超结 mosfet 系列可完全满足市场对性能、易用性和性价比的需求、因此非常适合低功率的开关电源应用。它主要用于回飞应用、包括适配器和充电器、 led 驱动器、音频开关电源、辅助和工业电源。

它具有完全优化的产品组合

它的装配成本更低

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