Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=12.5 A, 3针, TO-252, 700V CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 214-4391
制造商零件编号:: IPD70R360P7SAUMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=12.5 A, 3针, TO-252, 700V CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:: 214-4391
制造商零件编号:: IPD70R360P7SAUMA1
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	12.5A
	最大漏源电压 Vd	700V
	包装类型	TO-252
	系列	700V CoolMOS P7
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	360mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	16V
	最大功耗 Pd	59.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	16.4nC
	最低工作温度	-40°C
	正向电压 Vf	900mV
	最高工作温度	150°C
	高度	2.35mm
	长度	6.65mm
	标准/认证	No
	宽度	6.42mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 12.5A
	最大漏源电压 Vd 700V
	包装类型 TO-252
	系列 700V CoolMOS P7
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 360mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 16V
	最大功耗 Pd 59.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.4nC
	最低工作温度 -40°C
	正向电压 Vf 900mV
	最高工作温度 150°C
	高度 2.35mm
	长度 6.65mm
	标准/认证 No
	宽度 6.42mm
	汽车标准否

Datasheet - IPD70R360P7SAUMA1

Infineon 700V CoolMOS P7 系列 MOSFET，700V 漏源电压，12.5A 连续漏极电流 - IPD70R360P7SAUMA1

该 MOSFET 是一款高压 N 通道增强型设备，专为开关模式功率转换和其他功率处理而设计。它是一款表面安装组件，专为在紧凑型组件中需要强大电压阻断和开关能力的应用场景而设计。该设备可在宽温度范围内工作，并支持电力电子应用的典型栅极驱动电压。

特性和优点：

• 700V 阻断能力支持高压设计
• 12.5A 连续漏极电流支持大负载电流
• RDS(on) 360mΩ 可最大限度减少负载下的传导损耗
• 功耗为 59.5W，支持持续的热处理
• 栅极电荷为 16.4nC，可减少开关能量损耗
• VGS 额定值 ±16V，支持标准栅极驱动余量

应用

• 适用于高压 SMPS 初级开关
• 适用于工业功率转换器级
• 用于电源中的反激和正向拓扑结构
• 可用于功率因数校正前端
• 适用于高压测试和实验室设置

该设备在运行过程中可承受的热量范围是多少？

其规定工作温度范围为 -40°C 至 150°C，可在苛刻的热环境中使用。

为了考虑电路板布局,我应该考虑哪种封装?

该部件采用 TO-252 表面安装封装，配有三个引脚，便于 PCB 封装集成。

开关下的正向传导特性是什么？

正向电压为 0.9V，将影响导通状态运行期间的传导损耗计算。

栅极驱动设计应如何考虑开关行为？

使用 16.4nC 的典型栅极电荷，调节驱动电流和开关时间，以实现所需的转换速度。