Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=6 A, 3针, TO-252, 700V CoolMOS P7系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-4394
制造商零件编号:
IPD70R900P7SAUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

700V

系列

700V CoolMOS P7

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

900mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

16V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.8nC

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

30.5W

最高工作温度

150°C

宽度

6.42mm

标准/认证

No

高度

2.35mm

长度

6.65mm

汽车标准

否

Infineon 700V cool mos P7 超结 mosfet 系列通过提供基本的性能增益、可满足低功率 smp 市场的需求、例如手机充电器或笔记本电脑适配器。

它支持更少的磁性尺寸、 bom 成本更低

它具有高 esd 坚固性

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