制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=17 A, 3针, TO-220, 800V CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 214-4419
制造商零件编号:: IPP80R280P7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=17 A, 3针, TO-220, 800V CoolMOS P7系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 管，共 50 件）*

RMB656.00

(不含税)

RMB741.50

(含税)

最后的 RS 库存

最终 400 个，准备发货

单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB13.12	RMB656.00
100 - 150	RMB12.858	RMB642.90
200 +	RMB12.472	RMB623.60

* 参考价格

RS 库存编号:: 214-4419
制造商零件编号:: IPP80R280P7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	17A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	TO-220
	系列	800V CoolMOS P7
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	280mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	36nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	101W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	150°C
	高度	4.4mm
	标准/认证	No
	宽度	15.93mm
	长度	10.2mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 17A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 TO-220
	系列 800V CoolMOS P7
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 280mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 101W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 150°C
	高度 4.4mm
	标准/认证 No
	宽度 15.93mm
	长度 10.2mm
	汽车标准否

Datasheet - IPP80R280P7XKSA1

此 Infineon 800V cool mos P7 超结 mosfet 系列可完全满足市场对性能、易用性和性价比的需求、非常适合低功率的开关电源应用。它主要用于回飞应用、包括适配器和充电器、 led 驱动器、音频开关电源、辅助和工业电源。

它具有完全优化的产品组合

它的装配成本更低

相关链接