Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 8 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS C7系列
- RS 库存编号:
- 214-9001
- 制造商零件编号:
- IPA65R190C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 管，共 50 件）*
¥544.25
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB10.885 | RMB544.25 |
| 100 - 150 | RMB10.558 | RMB527.90 |
| 200 + | RMB10.241 | RMB512.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-9001
- 制造商零件编号:
- IPA65R190C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS C7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS C7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos C7 系列结合了领先 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。该产品组合提供快速切换超级结点式高电阻器的所有优点、可提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和卓越的可靠性。
易于使用 / 驱动
由于降低了系统成本 / 尺寸、因此可节省系统成本 冷却要求