Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=25 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 215-2504P
- 制造商零件编号:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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- IPD25N06S4L30ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 300mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 29W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.3nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 300mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 29W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.3nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS-T2 系列 MOSFET，60V 最大漏源电压，25A 最大连续漏极电流 - IPD25N06S4L30ATMA2
这款 MOSFET 是一款功率开关晶体管，专为需要稳健电流处理和宽温度范围的表面贴装应用而设计。它作为增强型 N 通道设备运行，适用于在施加栅极驱动下需要在漏极与源极之间进行受控导通的电路。该组件采用适用于 PCB 安装的 TO-252 封装，可适应分立功率级中使用的典型栅极驱动电压。
特性和优点：
• 60V 漏极额定电压支持中压系统使用
• 25A 连续电流支持高负载开关
• 300mΩ 最大 Rds(on) 可降低导通损耗
• 29W 最大功耗可应对热应力
• 16.3nC 典型栅极电荷可实现更快的开关
• ±20V 栅极额定电压可承受常见的栅极偏置
• 25A 连续电流支持高负载开关
• 300mΩ 最大 Rds(on) 可降低导通损耗
• 29W 最大功耗可应对热应力
• 16.3nC 典型栅极电荷可实现更快的开关
• ±20V 栅极额定电压可承受常见的栅极偏置
应用
• 适用于DC-DC转换器开关级应用
• 适用于电源的同步整流
• 用于电机驱动半桥配置
• 可用于电池管理开关元件
• 适用于通用低压功率开关
• 适用于电源的同步整流
• 用于电机驱动半桥配置
• 可用于电池管理开关元件
• 适用于通用低压功率开关
它在运行过程中可承受的环境温度范围是多少？
它可在 -55°C 至 150°C 的宽范围内工作，允许在恶劣的热环境中部署。
栅极电荷值如何影响开关性能？
16.3nC 的典型栅极电荷决定了所需的驱动能量，并影响开关速度和驱动器尺寸选择，以实现高效转换。
哪些安装注意事项与热管理相关？
TO-252 表面贴装封装需要在 PCB 上具有足够的铜焊盘面积和散热过孔，以散发热量并满足 29W 的功耗能力。
安全运行允许多大的栅极驱动幅度？
该设备允许的栅极电压高达 ±20V，这设定了最大允许驱动电压，以避免栅极过应力。