Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 25 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 215-2504P
- 制造商零件编号:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 640 - 1240 | RMB2.604 |
| 1260 + | RMB2.525 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2504P
- 制造商零件编号:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 300mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.3nC | |
| 最大功耗 Pd | 29W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 300mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.3nC | ||
最大功耗 Pd 29W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ® T2 功率晶体管的最大漏极源电压为 60V 、 n 通道、汽车 mosfet 、采用 dak （ to-252 ）封装类型。
N 通道 - 增强模式
符合 aec Q101 标准
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
100% 雪崩测试