ROHM N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=80 A, 8针, HSOP, HP系列
- RS 库存编号:
- 215-9751
- 制造商零件编号:
- HP8K24TB
- 制造商:
- ROHM
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HP | |
| 包装类型 | HSOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 31W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HP | ||
包装类型 HSOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 31W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 No | ||
长度 5mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 6mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 是额定电压为 30V 的 mosfet 。它具有低接通电阻。它主要用于开关和直流 - 直流转换器。
无铅
符合 RoHS
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