ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 250 mA, DFN, 表面安装, 3引脚, RV8系列
- RS 库存编号:
- 215-9933
- 制造商零件编号:
- RV8L002SNHZGG2CR
- 制造商:
- ROHM
暂时无法供应
抱歉,我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 215-9933
- 制造商零件编号:
- RV8L002SNHZGG2CR
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 250mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | RV8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.4mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 1mm | |
| 高度 | 0.4mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 250mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 RV8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.4mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 1mm | ||
高度 0.4mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM 出色的信号 mosfet 采用无引线超小型和裸露式排放垫、以实现出色的热传导 smd 塑料封装。它主要用于开关电路、低侧负载开关和继电器驱动器。
快速切换
超低电压驱动
相关链接
- ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 250 mA, DFN, 表面安装, 3引脚, RV8L002SNHZGG2CR, RV8系列
- ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=20 V, 1 A, DFN, 表面安装, 3引脚, RV8C010UNHZGG2CR, RV8系列
- ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1.2 V, 10.3 A, DFN0806-3, 3引脚, RV1C002UNT2CL, RV1C002UN系列
- ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1.2 V, 10.3 A, DFN0806-3, 3引脚, RV1C002UN系列
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, DFN1212-3, 表面安装, 3引脚, RV7E040AJTCR1, RV7系列
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, DFN1212-3, 表面安装, 3引脚, RV7L020GNTCR1, RV7系列
- ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-20 V, DFN1616-6W, 表面安装, 8引脚, RV4C060ZPHZGTCR1, RV4系列
- ROHM P型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=-20 V, 4 A, DFN1212-3, 表面安装, 4引脚, RV7C040BCTCR1, RV7C040BC系列
