制造商编号

Taiwan Semiconductor N型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 51 A, PDFN56, 表面安装, 8引脚, TSM130NB06CR, TSM025系列

RS 库存编号:: 216-9687P
制造商零件编号:: TSM130NB06CR
制造商:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor N型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 51 A, PDFN56, 表面安装, 8引脚, TSM130NB06CR, TSM025系列

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制造商零件编号:: TSM130NB06CR
制造商:: Taiwan Semiconductor

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Taiwan Semiconductor
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	51A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	TSM025
	包装类型	PDFN56
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	13mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	83W
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	36nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	高度	1.1mm
	长度	6.2mm
	标准/认证	IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Taiwan Semiconductor
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 51A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 TSM025
	包装类型 PDFN56
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 13mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 83W
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	高度 1.1mm
	长度 6.2mm
	标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC
	汽车标准否

Datasheet-TSM130NB06CR

Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶体管表示“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。

低 rds （接通）可有效减少低栅极电荷、用于快速电源切换经过 100% uis 和 rg 测试

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