Infineon N沟道MOSFET, Vds=500 V, Id=7.6 A, 3针, TO-220, CoolMOS系列

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RS 库存编号:
217-2493
制造商零件编号:
IPAN50R500CEXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

7.6A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-220

系列

CoolMOS

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

500mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

28W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.7nC

正向电压 Vf

0.85V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

长度

16.1mm

标准/认证

No

宽度

4.8mm

高度

29.85mm

汽车标准

否

the Infineon 500V coolmos ™ ce 是一款价格经济的优化平台，它能够通过仍然符合最高效率标准，针对消费和照明市场中的成本敏感型应用。新系列提供快速切换超级结 mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性、并提供市场上提供的最佳低成本性能比。

减少输出电容（ e oss ）中存储的能量

坚固的主体二极管

减少反向恢复充电（ q rr ）

降低栅极电荷（ q g ）

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