Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=600 V, 8.4 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS系列

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RS 库存编号:
217-2498
制造商零件编号:
IPAN60R800CEXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.4A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

CoolMOS

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

800mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

82W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.9V

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20.5nC

最高工作温度

150°C

宽度

4.8 mm

高度

29.87mm

长度

16.1mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon coolmos ™ ce 适用于硬切换和软切换应用,作为现代超级结,它提供低传导和切换损耗,从而提高效率,最终降低功耗。 600V 、 650V 和 700V coolmos ™ ce 结合了最佳 r ds ( on )和封装,适用于手机和平板电脑的低功率充电器。

缩小典型和最大 r ds ( on )之间的边距

减少输出电容( e oss )中存储的能量

坚固的主体二极管、可减少反向恢复电荷 ( q rr )

优化的集成 r g