制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=70 A, 3针, TO-263, CoolMOS系列

RS 库存编号:: 217-2508
制造商零件编号:: IPB70N10S312ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=70 A, 3针, TO-263, CoolMOS系列

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RS 库存编号:: 217-2508
制造商零件编号:: IPB70N10S312ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	70A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-263
	系列	CoolMOS
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	11.3mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	51nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	129W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	150°C
	宽度	9.45mm
	长度	10.31mm
	标准/认证	No
	高度	4.57mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 70A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-263
	系列 CoolMOS
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 11.3mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 129W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 150°C
	宽度 9.45mm
	长度 10.31mm
	标准/认证 No
	高度 4.57mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPB70N10S312ATMA1

Infineon 100V 、 n 通道、最大 11.3 MΩ m μ m 、汽车 mosfet 、 D2PAK 、？

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

100% 雪崩测试

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